特許
J-GLOBAL ID：200903078634057891
強誘電体キャパシタおよび半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-336576
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142657
出願日： 2001年11月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、強誘電体キャパシタのリテンション特性を向上させ、疲労特性とインプリント不良を改善する。【解決手段】 上下電極の間にPZT膜を挟んだ強誘電体キャパシタにおいて、PZT膜として(001)配向を有する正方晶系のPZT結晶よりなる膜を使い、上下電極との界面に菱面体晶系に属するPZT結晶よりなる層を介在させる。
請求項（抜粋）：
下部電極と、前記下部電極上に形成されたペロブスカイト型構造を有する強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極とよりなり、前記強誘電体膜は、前記下部電極と上部電極の少なくとも一方の界面に沿って形成され第1の結晶系に属する第1の強誘電体膜部分と、第2の、異なった結晶系に属する第2の強誘電体膜部分とよりなることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
Fターム (14件)：
5F083FR02
, 5F083GA21
, 5F083JA05
, 5F083JA15
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA08
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR34
