特許
J-GLOBAL ID：200903048354959672
フォトマスクブランク及びフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-065800
公開番号（公開出願番号）：特開2007-241065
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【解決手段】透明基板上に他の膜を介して又は介さずに形成されたフッ素系ドライエッチングに対して耐性を有し、かつ塩素を含有するドライエッチングで除去可能な単層又は多層で構成されたエッチングストッパー膜と、該エッチングストッパー膜に接して積層され、遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された層を1層以上含む多層で構成された遮光膜と、該遮光膜に接して積層され、単層又は多層で構成された反射防止膜とを有するフォトマスクブランク。【効果】本発明のフォトマスクブランクを用いることにより、遮光膜のドライエッチング加工時において、従来のクロム系材料の遮光膜をもつフォトマスクブランクを用いた場合と比較して、形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造することが可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、
透明基板上に他の膜を介して又は介さずに形成されたフッ素系ドライエッチングに対して耐性を有し、かつ塩素を含有するドライエッチングで除去可能な単層又は多層で構成されたエッチングストッパー膜と、
該エッチングストッパー膜に接して積層され、遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された単層、又は遷移金属とケイ素とを含有する材料で構成された層を1層以上含む多層で構成された遮光膜と、
該遮光膜に接して積層され、単層又は多層で構成された反射防止膜とを有することを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
2H095BB14
, 2H095BC13
, 2H095BC26
