特許
J-GLOBAL ID：200903048389053900

電界効果トランジスタ

発明者：
ベンジャミン・ヘイイング

ベンジャミン・ヘイイング について

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ローリア・スモーチコーヴァ

ローリア・スモーチコーヴァ について

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ヴィンセント・ガンビン

ヴィンセント・ガンビン について

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ロバート・コフィー

ロバート・コフィー について


出願人/特許権者：
ノースロップ・グラマン・スペイス・アンド・ミッション・システムズ・コーポレーション

ノースロップ・グラマン・スペイス・アンド・ミッション・システムズ・コーポレーション について


代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  佐久間 滋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-310443
公開番号（公開出願番号）：特開2009-224760
出願日： 2008年12月05日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
【課題】ゲートの漏れ電流を低減させる。【解決手段】電子トラップ及びゲート電流の漏れを減少させる窒化物系FETデバイス10である。該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層20と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子38の下方の薄い不動態化層16、18とを含む。デバイスは、基板12上に堆積させた半導体デバイス層14を含む。複数の不動態化層が半導体デバイス層14上に堆積され、少なくとも2つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。層の間の境界面をエッチストップとして使用することにより1つ又はより多くの不動態化層18、20を除去し、ゲート端子38と半導体デバイス層14間の距離を正確に制御することができるようにし、この距離はデバイスの性能を向上させ且つゲート電流の漏れを減少させるよう極めて短くすることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタデバイスにおいて、 基板と、 基板上に堆積された複数の半導体デバイスと、 半導体デバイス層上に堆積された複数の誘電性不動態化層と、 半導体デバイス層上に堆積されたソース端子と、 半導体デバイス層上に堆積されたドレーン端子と、 少なくとも1つの不動態化層上に堆積されたゲート端子と、を備え、少なくとも2つの不動態化層は、異なる誘電性材料にて出来ており、ソース端子とゲート端子との間、及びドレーン端子とゲート端子との間の不動態化層の厚さは、不動態化層はゲート端子の側部に設けられるよう、ゲート端子と半導体デバイス層との間の1つ又はより多くの不動態化層の厚さよりも厚い、電界効果トランジスタデバイス。
IPC (9件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/283
FI (9件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L21/283 B ,  H01L29/80 Q
Fターム (78件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA10 ,  4M104DD63 ,  4M104DD72 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104GG00 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15 ,  5F102HC21 ,  5F110AA01 ,  5F110AA12 ,  5F110CC01 ,  5F110DD04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09 ,  5F140AA01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BC11 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ25 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CE10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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