高電子移動度トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-535260
公開番号（公開出願番号）：特表2005-527102
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

本発明は、トラッピングを低減するためのAlGaNの薄膜を有し、また、ゲート漏洩を減少し、最大駆動同電流を増加させるための追加の層を有するAlGaN/GaのHEMTに関する。その上にバリア半導体層(18)を備える高比抵抗の半導体層(20)を備えている。バリア半導体層(18)は高比抵抗層(20)よりも広いバンドギャップを有し、2DEG層(22)が層間に形成される。ソースとドレインコンタクト(13、14)はバリア半導体層(18)に接触し、バリア半導体層(18)の表面部はコンタクト(13、14)で被覆されていない。絶縁層(24)は、バリア半導体層(18)の被覆されていない表面上に含まれ、ゲートコンタクト(16)は絶縁層(24)上に設けられている。絶縁層(24)はゲート漏洩電流のバリアを形成し、かつ、HEMTの最大電流駆動の増加を助ける。本発明は、HEMTの製造方法に関する。HEMTおよびその絶縁層は金属有機化学気相成長法(MOCVD)を使用して作られる。他の方法では、絶縁層はスパッタチャンバー内でHEMTの頂部面の上にスパッタされる。

請求項（抜粋）：

高比抵抗半導体層(20)と、該高比抵抗半導体層(20)上に設けられ、該高比抵抗半導体層(20)よりも広いバンドギャップを有するバリア半導体層(18)と、該バリア半導体層(18)と前記高比抵抗半導体層(20)間に設けられた二次元電子ガス層(22)と、前記バリア半導体層(18)にそれぞれ接触しているとともに、該バリア半導体層(18)の表面部を被覆していないソース及びドレインコンタクト(13,14)と、前記バリア半導体層(18)の被覆されていない表面上に設けられた絶縁層(24)と、ゲート漏洩電流のバリアを形成して最大電流駆動を増加させるように、前記絶縁層(24)上に設けられたゲートコンタクト(16)とを備えたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B

Fターム (32件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ30

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国再発行特許発明第5,192,987号明細書
米国特許第34,861号明細書
米国特許第4,946,547号明細書

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審査官引用 (6件)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225077 出願人：ソニー株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146563 出願人：ソニー株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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