特許
J-GLOBAL ID：200903077800433477

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
李 江

李 江 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-078380
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268507
出願日： 2004年03月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜7の膜厚の均一性が良く、かつ、緻密であるためゲート電極からの電流のリークの少ないものを提供することを目的とする。【解決手段】 窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜7は、Siの単結晶薄膜を酸化した層からなることを特徴とする。及び成長した窒化物系化合物半導体層の表面にSiの単結晶薄膜を形成する工程と、該単結晶薄膜を酸化して前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜7を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、Siの単結晶薄膜を酸化した層からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L29/78 301B ,  H01L21/316 S ,  H01L21/318 A ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 615
Fターム (69件)：
5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA26 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BF06 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG24 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC13 ,  5F140CE10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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