特許
J-GLOBAL ID：200903048530108102

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
鈴木 政勝

鈴木 政勝 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-381017
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186262
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】暗電流や白キズの発生を従来に比べて低減すると共に、フォトダイオードの飽和電荷量の向上をも図り得る固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】受光部15が形成された半導体基板1を備える固体撮像装置である。受光部15は、半導体基板1に形成されたp型の第1不純物領域(表面反転層)6と、表面反転層6の下に形成されたn型の第2不純物領域(光電変換領域)4とを有している。光電変換領域4は、半導体基板1にn型の不純物を導入して形成する。表面反転層6は、半導体基板1の光電変換領域4が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光部が形成された半導体基板を備え、前記受光部は、前記半導体基板に形成されたp型の第1不純物領域と、前記第1不純物領域の下に形成されたn型の第2不純物領域とを有する固体撮像装置であって、 前記第1不純物領域は、不純物としてインジウムを含んでいることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 B ,  H04N5/335 U ,  H01L31/10 A
Fターム (32件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA17 ,  4M118CA34 ,  4M118CB20 ,  4M118DA03 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049QA03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ13
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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