特許

J-GLOBAL ID：200903048571615710

半導体素子および半導体ウエハならびにその製造方法

発明者： 國里 竜也 ,  林 伸彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265362
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093834
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 大面積化が可能でかつ品質の高いGaN系半導体ウエハおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 8〜12インチの大きさW1 のSi基板1上にアンドープInGaNからなるInGaNバッファ層2を形成し、さらにその上にGaN層3を形成する。このようにして形成された半導体ウエハ200においては、InGaNバッファ層2により、Si基板1とGaN層3との格子定数の差および熱膨張係数の差が緩和される。それにより、熱歪みが発生せず結晶性が良好でかつ大面積のGaN層3を有する半導体ウエハ200が実現される。

請求項（抜粋）：

少なくともインジウムを含む窒化物系半導体から構成されるバッファ層と、窒化ガリウム層とが順に形成されたことを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (50件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-302918   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-190968   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365725   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-107834   出願人：三洋電機株式会社
• 化合物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-016826   出願人：株式会社東芝