特許
J-GLOBAL ID：200903048595373849

埋め込み金属配線の形成方法

発明者：
菅井 和己

菅井 和己 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-234030
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068272
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 ディッシング、リセス等の形状欠陥を有しない埋め込み金属配線を形成する方法を提供する。【解決手段】 本埋め込み金属配線の形成方法は、半導体基板に設けた絶縁膜をパターニングして配線溝を形成する工程と、配線溝の溝壁及び溝底を含め、基板上にバリアメタル膜を成膜する工程と、配線溝を埋め込みつつバリアメタル膜上に導電性金属膜を成膜する工程と、研磨装置の回転する研磨パッド上に、研磨液と、研磨液に対して第1の所定濃度になる量の酸化剤とを供給しつつ、基板を研磨パッドに押圧して、基板上の導電性金属膜を研磨、除去し、配線溝以外の領域のバリアメタル膜を露出させる工程と、研磨装置の回転する研磨パッド上に、研磨液と、研磨液に対して第1の所定濃度より低い第2の所定濃度になる量の酸化剤とを供給しつつ、基板を研磨パッドに押圧して、露出したバリアメタル膜を研磨、除去し、配線溝内にバリアメタル膜と導電性金属膜からなる配線を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けた絶縁膜をパターニングして配線溝を形成する工程と、配線溝の溝壁及び溝底を含め、基板上にバリアメタル膜を成膜する工程と、配線溝を埋め込みつつバリアメタル膜上に導電性金属膜を成膜する工程と、研磨装置の回転する研磨パッド上に、研磨液と、研磨液に対して第1の所定濃度になる量の酸化剤とを供給しつつ、基板を研磨パッドに押圧して、基板上の導電性金属膜を研磨、除去し、配線溝以外の領域のバリアメタル膜を露出させる工程と、研磨装置の回転する研磨パッド上に、研磨液と、研磨液に対して第1の所定濃度より低い第2の所定濃度になる量の酸化剤とを供給しつつ、基板を研磨パッドに押圧して、露出したバリアメタル膜を研磨、除去し、配線溝内にバリアメタル膜と導電性金属膜からなる配線を形成する工程とを有することを特徴とする、埋め込み金属配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622
FI (2件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 622 X
Fターム (13件)：
5F033AA19 ,  5F033AA29 ,  5F033AA61 ,  5F033AA64 ,  5F033BA15 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA37 ,  5F033DA15 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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