特許
J-GLOBAL ID：200903031843349470

AlInGaN系半導体発光素子および半導体発光装置

発明者：
福永 敏明

福永 敏明 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-119893
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307190
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 AlInGaN 系半導体発光素子においてインピーダンスを低減する。【解決手段】 サファイア基板1上にn-GaN 低温バッファ層2、n-GaN バッファ層3、n-In0.1Ga0.9N バッファ層4、n-Alx3Ga1-x3N クラッド層5、n-GaN 光導波層6、Inx1Ga1-x3N/Inx2Ga1-x2N 歪み多重量子井戸活性層7(x1>x2)、p-GaN 光導波層8、p-Alx3Ga1-x3N 第一ラッド層9、ストライプ状の電流注入窓を有するn-Alx4Ga1-x4N電流阻止層10(x4>x3)、p-Alx3Ga1-x3N 第二クラッド層11、p-GaN キャップ層12、p-SiC コンタクト層13をこの順に積層し、積層部の一部をn-GaN バッファ層3が露出するまでエッチングして除去する。その後、p-SiC コンタクト層13上にp側電極15、エッチングにより露出したn-GaN バッファ層上にn側電極14を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも第一導電型クラッド層、活性層、第二導電型第一クラッド層がこの順に積層して成るAlInGaN 系半導体発光素子において、前記第二導電型第一クラッド層上にストライプ状の電流注入窓を有する第一導電型電流阻止層が積層され、さらに該電流阻止層上に前記電流注入窓を覆うようにして第二導電型第二クラッド層および第二導電型コンタクト層がこの順に積層された内部電流狭窄機構が形成され、積層方向に平行な対向する二端面に共振器面が形成された構造であり、前記第二導電型コンタクト層上および前記基板側に電極がそれぞれ形成されていることを特徴とするAlInGaN 系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235011   出願人：ローム株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235012   出願人：ローム株式会社
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233178   出願人：ローム株式会社
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