帯状連続基材およびそれを用いた半導体装置ならびに製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 黒川弘朗 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-352227
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186469
出願日： 2002年12月04日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】これまでに開発した装置を最大限に利用して、高精度に半導体集積回路を作製するための半導体製造装置並びに半導体製造方法を提供する。【解決手段】半導体層を有する連続的に形成された基材を半導体製造装置のステージの載置面に保持し、所定の処理を行う半導体装置の製造方法であって、複数の半導体製造装置のステージの載置面に、基材を順次搬送し、所定の処理を行う。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体層を有する連続的に形成された基材を半導体製造装置のステージの載置面に保持し、所定の処理を行う半導体装置の製造方法であって、複数の前記半導体製造装置の前記ステージの載置面に、前記基材を順次搬送し、前記所定の処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/68

FI (3件)：

H01L21/02 Z , H01L21/68 F , H01L21/30 502J

Fターム (26件)：

5F031CA20 , 5F031DA20 , 5F031GA60 , 5F031HA13 , 5F031HA16 , 5F031HA53 , 5F031HA60 , 5F031JA01 , 5F031JA27 , 5F031JA38 , 5F031KA06 , 5F031MA03 , 5F031MA06 , 5F031MA21 , 5F031MA24 , 5F031MA27 , 5F031MA28 , 5F031MA30 , 5F031MA31 , 5F031MA32 , 5F031PA02 , 5F031PA20 , 5F046CD01 , 5F046CD04 , 5F046CD05 , 5F046CD08

引用特許：

審査官引用 (11件)

薄膜光電変換素子の製造装置および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-124148 出願人：富士電機株式会社
特開昭57-122581
特開昭61-203548

全件表示

前のページに戻る