特許
J-GLOBAL ID:200903048655211363
可変トランスコンダクタンス回路
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
前田 弘
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-110550
公開番号(公開出願番号):特開2007-043654
出願日: 2006年04月13日
公開日(公表日): 2007年02月15日
要約:
【課題】3V程度の低電源電圧では1つの回路でgm最低値の5倍程度の可変範囲しか確保できず、消費電力、実装回路面積の増大が大きな課題となっていた。【解決手段】入力電圧信号(Vi)に対して線形な電流信号を出力する電圧-電流変換回路と、前記電流信号を入力して平方根圧縮された電圧信号に変換する第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)と、前記平方根圧縮された電圧信号を線形電流信号に変換する第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)とを有する可変gm回路において、第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)のバイアス電流(Ia)と第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)のバイアス電流(Ib)をそれぞれ変化させてgmを制御することで、1つの回路で20倍程度の可変が3V程度の低電源電圧で実現でき、前述の課題が解決できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
入力電圧信号(Vi)に対して線形な電流信号を出力する電圧-電流変換回路と、
前記電流信号を入力して平方根圧縮された電圧信号に変換する第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)と、
前記平方根圧縮された電圧信号を線形電流信号に変換する第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)とを備え、
前記第1および第2のMOSトランジスタ(M1,M2)のバイアス電流(Ia)と前記第3および第4のMOSトランジスタ(M3,M4)のバイアス電流(Ib)をそれぞれ変化させてトランスコンダクタンスを制御する、
ことを特徴とする可変トランスコンダクタンス回路。
IPC (3件):
H03G 3/10
, H03F 3/45
, H03F 3/68
FI (3件):
H03G3/10
, H03F3/45 A
, H03F3/68 Z
Fターム (37件):
5J100AA03
, 5J100AA19
, 5J100AA23
, 5J100AA26
, 5J100BA05
, 5J100BB02
, 5J100BB07
, 5J100BB21
, 5J100BB22
, 5J100BC03
, 5J100BC04
, 5J100CA29
, 5J100DA06
, 5J100EA02
, 5J500AA01
, 5J500AA12
, 5J500AA56
, 5J500AC35
, 5J500AC36
, 5J500AC37
, 5J500AF15
, 5J500AF20
, 5J500AH10
, 5J500AH25
, 5J500AH29
, 5J500AK05
, 5J500AK07
, 5J500AK33
, 5J500AK42
, 5J500AM08
, 5J500AS08
, 5J500AT02
, 5J500DN05
, 5J500DN15
, 5J500DN23
, 5J500DP02
, 5J500LU02
引用特許: