特許
J-GLOBAL ID：200903048661602706
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 林田 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-329505
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152423
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】温度変化などにより、半田ボールへ集中して作用する変形力によって生じる、クラックなどの半田ボールの損傷あるいは破損の発生を防止することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、上面(一方表面)に集積回路部(図示せず)を有するシリコン基板11と、シリコン基板11の上面上に形成された電極パット12と、シリコン基板11の上面に形成された封止樹脂層13と、封止樹脂層13から上面が露出するようにシリコン基板11の上面に設けられた柱状のメタルポスト14と、メタルポスト14の上面上に設けられた半田ボール15と、封止樹脂層13よりも弾性率が低い樹脂材料からなる低弾性樹脂層17とを備える。半導体装置1が備える低弾性樹脂層17は、封止樹脂層13と半導体ボール15との間に少なくとも一部が介在するように形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 603G
, H01L21/92 602L
, H01L21/92 602D
