特許

J-GLOBAL ID：200903081916765490

ウエハレベルCSPの製造方法

発明者： 村上 武彦
出願人/特許権者： ミナミ株式会社
代理人 (1件)： 杉山 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-325938
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093772
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】熱応力緩和ポスト、絶縁層並びにはんだバンプの形成を能率よく行うようになして全体の製造能率を大幅に向上させる。【解決手段】ウエハ1上にメッキによる再配線回路3を形成すると共に該再配線回路3上にはんだ等の導電材による熱応力緩和ポスト4を形成する。また、これら再配線回路3と熱応力緩和ポスト4の周囲に、該熱応力緩和ポスト4の上面を除いてポリイミド等からなる絶縁層6を形成し、更に前記熱応力緩和ポスト4上にはんだバンプ7を形成する。そしてまた、前記熱応力緩和ポスト4、絶縁層6並びにはんだバンプ7はスクリーン印刷により形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウエハ上にメッキによる再配線回路を形成すると共に該再配線回路上にはんだ等の導電材による熱応力緩和ポストを形成し、これら再配線回路と熱応力緩和ポストの周囲に、該熱応力緩和ポストの上面を除いてポリイミド等からなる絶縁層を形成し、更に前記熱応力緩和ポスト上にはんだバンプを形成するウエハレベルCSPの製造方法であって、前記熱応力緩和ポスト、絶縁層並びにはんだバンプの形成をスクリーン印刷によって行うようになしたことを特徴とするウエハレベルCSPの製造方法。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H01L21/60

FI (3件)：

H01L23/12 501P ,  H01L21/92 604E ,  H01L21/92 604S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-281393   出願人：株式会社アイ・イー・ピー・テクノロジーズ, デクスター株式会社
• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-137857   出願人：日本レック株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-107850   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-375353   出願人：日本電気株式会社