特許

J-GLOBAL ID：200903081255800413

プラズマ処理装置,プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム,検査方法

発明者： 仲野 陽 ,  大見 忠弘
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-341076
公開番号（公開出願番号）：特開2002-143672
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月21日
要約：

【要約】【課題】 複数のプラズマ処理室毎の機差により、プラズマ処理を均等におこなうためには、膨大な調整時間が必要であった。【解決手段】 電極4,8を有する複数のプラズマ処理室ユニット75,76,77,95,96,97と、電極4に接続された高周波電源1と、プラズマ処理室ユニット75,76,77,95,96,97と高周波電源1とのインピーダンス整合を得る整合回路2Aとを具備し、整合回路2Aの入力端子側交流抵抗RAおよび出力端子側交流抵抗RBの最大値と最小値のばらつき<RA> = (RA<SB>max </SB>-RA<SB>min </SB>)/(RA<SB>max </SB>+RA<SB>min </SB>) (14A)<RB> = (RB<SB>max </SB>-RB<SB>min </SB>)/(RB<SB>max </SB>+RB<SB>min </SB>) (14B)がそれぞれ0.5より小さい範囲の値に設定されてなる。

請求項（抜粋）：

プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電源が接続され前記出力端子に前記電極が接続されこれら入出力端子の間に接地電位部分が接続されるとともに前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得るための整合回路と、を具備するプラズマ処理室ユニットを複数具備するプラズマ処理装置であって、前記それぞれのプラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記入力端子側から測定した交流抵抗RAのうち、その最大値RA<SB>max </SB>と最小値RA<SB>min </SB>とのばらつきが、<RA> = (RA<SB>max </SB>-RA<SB>min </SB>)/(RA<SB>max </SB>+RA<SB>min </SB>)とされるとともに、前記それぞれのプラズマ処理室ユニットの整合回路において、前記出力端子側から測定した交流抵抗RBのうち、その最大値RB<SB>max </SB>と最小値RB<SB>min </SB>とのばらつきが、<RB> = (RB<SB>max </SB>-RB<SB>min </SB>)/(RB<SB>max </SB>+RB<SB>min </SB>)とされ、これらの値が所定の範囲の値に設定されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (7件)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (8件)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 B

Fターム (37件)：

4G075AA24 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075FC13 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030HA11 ,  4K030HA17 ,  4K030JA18 ,  4K030KA08 ,  4K030KA14 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045AE01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045GB02 ,  5F045HA25 ,  5F103AA08 ,  5F103BB51 ,  5F103BB60 ,  5F103RR01 ,  5F103RR04

引用特許：

審査官引用 (12件)

• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-125578   出願人：九州日本電気株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-262451   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマ評価方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286344   出願人：株式会社東芝
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198376   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• スパッタ装置及び堆積膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011701   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-283651   出願人：株式会社東芝
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-258557   出願人：松下電器産業株式会社
• 成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-132438   出願人：株式会社島津製作所
• プラズマ処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-074030   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平3-054825
  
• 薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-177900   出願人：シャープ株式会社
• 半導体製造設備管理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-246949   出願人：三星電子株式会社