特許
J-GLOBAL ID：200903048748976920

半導体装置の製造方法及び混成トランジスタ用半導体装置の製造方法

発明者：
寺田 隆司

寺田 隆司 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-334077
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158677
出願日： 2007年12月26日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】MOSトランジスタの寄生抵抗の低減化を図るとともに、ソース・ドレイン領域及びエクステンション部を構成するエピタキシャル成長領域の安定化を図った半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】ポリシリコンゲート5の側面にオフセット部をオフセットスペーサ用酸化膜31及びオフセットスペーサ用窒化膜32の2層構造で形成し、さらにその側面にサイドウォール用酸化膜33及びダミーサイドウォール用窒化膜を形成した後、当該ダミーサイドウォール用窒化膜を熱燐酸を用いて除去する。その結果、選択エピ成長領域12とポリシリコンゲート5との間に段差部19が形成される。そして、ポリシリコンゲート5、上記酸化膜及び窒化膜31〜33をマスクとして、ゲート外SOI領域3e、選択エピ成長領域11及び12にExt用不純物22及びHalo用不純物23を順次注入,拡散する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体支持基板、埋め込み絶縁膜及びSOI層からなるSOI基板に対して行う半導体装置の製造方法であって、 (a) 前記SOI基板の前記SOI層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を得るステップと、 (b) 前記ゲート電極の側面にオフセット幅を規定するオフセット部を形成するステップと、 (c) 表面が露出した前記SOI層からのエピタキシャル成長により第1の選択エピ成長領域を形成するステップと、 (d) 前記オフセット部の側面にダミーサイドウォール部を形成し、表面が露出した前記第1の選択エピ成長領域からのエピタキシャル成長により第2の選択エピ成長領域を形成するステップと、 (e) 前記ダミーサイドウォール部を除去した後、前記ゲート電極及び前記オフセット部をマスクとして、エクステンション部形成用のエクステンション不純物及びHalo用不純物注入処理を行うステップとを備え、前記ダミーサイドウォール部の除去後、前記ゲート電極と前記第2の選択エピ成長領域との間に段差部が設けられ、 (f) 前記オフセット部の側面に実サイドウォール部を形成し、前記ゲート電極、前記オフセット部及び前記実サイドウォール部をマスクとして、ソース・ドレイン領域形成用のソース・ドレイン不純物注入処理を行うステップをさらに備え、 前記ステップ(f) 後に、前記ソース・ドレイン領域及び前記エクステンション領域が形成され、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、前記エクステンション領域及び前記ソース・ドレイン領域を主要部としたMOSトランジスタが構成される、 半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (8件)：
H01L29/78 616A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 617L
Fターム (60件)：
5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA16 ,  5F048BA20 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BC01 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA03 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG36 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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