特許
J-GLOBAL ID：200903048755925479

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
鈴木 正樹

鈴木 正樹 について

, 
奥村 智洋

奥村 智洋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-108112
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303812
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 誘電体窓の温度変化を抑制でき、プラズマ化に利用できる実質的な電力が大きく、高周波ノイズが発生しにくいプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内にガス供給装置2より所定の反応ガスを導入しつつ真空排気装置3で排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、高周波電源4により高周波電力を、誘電体窓5の外側に配置された高周波電極6に印加すると、真空容器1内にプラズマが発生し、基板電極7上に載置された基板8に対してプラズマ処理を行うことができる。このとき、誘電体窓5の内部に設けられた流路11に流体を流すことにより、誘電体窓5の温度を制御することができる。
請求項（抜粋）：
誘電体窓(5、60、70)により密閉された真空容器(1)内に反応ガスを供給しつつ上記真空容器内を排気して上記真空容器内の圧力を略一定に制御しながら、上記真空容器内に保持された基板(8)に対向して設けられた上記誘電体窓の外側に設けられた高周波電極(6、21)に高周波電力を印加して、上記真空容器内にプラズマを発生させ、上記基板または上記基板上の膜をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、上記誘電体窓の内部に設けられた流路(11、111、211)に温度制御された流体を流して上記誘電体窓の温度を制御し、上記誘電体窓への堆積物の形成及び剥離を制御可能であることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2件)：
H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 101 C
Fターム (14件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BC04 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F004CB12 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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