基板熱処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058534
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】均一な処理を行うことができる基板熱処理装置を提供する。【解決手段】サセプタ35に支持された基板Wの被処理面OSと対向した状態で近接して光吸収性および熱伝導性の良好な板状部材40が設けられ、板状部材40は、チャンバの内部水平断面をほぼ覆い尽くすものとなっている。板状部材40によりチャンバの内部下面において熱せられた基板W周囲のガスと組成の異なるガスのガス流GS2は板状部材40により阻まれ、また、板状部材40と基板Wとはほぼ等しい温度となるので空間SP内に対流はほとんど生じない。そのため、基板Wの被処理面OSを通過するガスの組成変化は少ないため、均一な基板処理を行うことができる。

請求項（抜粋）：

基板に熱処理を施す基板熱処理装置であって、(a) 基板を収容する処理室と、(b) 前記基板を加熱する加熱手段と、(c) 前記処理室内にて前記基板を支持する支持手段と、(d) ガス導入口から前記処理室内に導入した熱分解性ガスを排気口から排気することにより前記支持手段に支持された前記基板とほぼ平行な前記熱分解性ガスのガス流を形成するガス流形成手段と、(e) 前記支持手段に支持された前記基板の被処理面に対向するとともに、当該被処理面に近接する板状部材と、を備えることを特徴とする基板熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/26

FI (3件)：

H01L 21/31 E , H01L 21/26 Q , H01L 21/26 G

Fターム (7件)：

5F045AA03 , 5F045DP04 , 5F045EE20 , 5F045EF14 , 5F045EF20 , 5F045EK12 , 5F045EM06

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-180036 出願人：ソニー株式会社
単結晶薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153105 出願人：信越半導体株式会社
酸化膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330187 出願人：株式会社日立製作所

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