特許
J-GLOBAL ID：200903048856398461

半導体発光装置

発明者：
佐野 武志

佐野 武志 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-323581
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179270
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置の耐環境性及び耐紫外線性を改善する。【解決手段】 ポリメタロキサン又はセラミックから成り、半導体発光素子(2)から照射される紫外光等に対して光透過性を有するコーティング材(10)は半導体発光素子(2)を直接被覆する。耐紫外線性及び耐熱性を有するコーティング材(10)は、紫外線が長期にわたって照射される高温環境下でも劣化しない。
請求項（抜粋）：
基体と、該基体に固着された半導体発光素子と、該半導体発光素子を被覆するコーティング材とを備えた半導体発光装置において、前記コーティング材は、光透過性を有するポリメタロキサン又はセラミックであることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  C04B 41/84 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 33/00 N ,  C04B 41/84 ,  H01L 23/30 B
Fターム (16件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EE12 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA42 ,  5F041DA47 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (12件)
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