特許
J-GLOBAL ID：200903048883621539

半導体レンズの製造方法および半導体レンズ

発明者：
本多 由明

本多 由明 について

, 
西川 尚之

西川 尚之 について

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上津 智宏

上津 智宏 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228274
公開番号（公開出願番号）：特開2007-086766
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】半導体基板の厚みによらず任意形状の半導体レンズを容易に形成することが可能な半導体レンズの製造方法、透過対象の電磁波がテラヘルツ波であり低コスト化が可能な所望のレンズ形状の半導体レンズを提供する。【解決手段】半導体基板10の一表面側に陽極11を形成する陽極形成工程と、電解液B中で半導体基板10の他表面側に配置される陰極25と陽極11との間に通電して半導体基板10の他表面側に除去部位となる多孔質部14を形成する陽極酸化工程と、多孔質部14を除去する多孔質部除去工程とを備える。陽極酸化工程にて半導体基板10の他表面側に照射する光の光量分布を所望のレンズ形状に応じて決定することにより、陽極酸化工程において半導体基板10中に誘起されるホールの分布が所望のレンズ形状に応じた分布となるようする。陰極25が、上記光量分布を形成するように設計したマスクを兼ねる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一部を除去して半導体レンズを製造する半導体レンズの製造方法であって、半導体基板の一表面側に陽極を形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の他表面側に配置される陰極と陽極との間に通電して半導体基板の他表面側に除去部位となる多孔質部を形成する陽極酸化工程と、多孔質部を除去する多孔質部除去工程とを備え、陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成し、陽極酸化工程では、電解液として、半導体基板の構成元素の酸化物をエッチング除去する溶液を用いるようにし、陽極酸化工程にて半導体基板の他表面側に照射する光の光量分布と、陽極形成工程にて形成する陽極と半導体基板との接触パターンとの少なくとも一方を所望のレンズ形状に応じて決定することにより、陽極酸化工程において半導体基板中に誘起されるホールの分布が所望のレンズ形状に応じた分布となるようにすることを特徴とする半導体レンズの製造方法。
IPC (1件)：
G02B 3/00
FI (1件)：
G02B3/00 Z
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (5件)
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