特許
J-GLOBAL ID：200903034747405112
微小光学半導体レンズの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372169
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298046
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【課題】 微小光学デバイスに混成集積させるIII-V族半導体微小光学レンズを製造するための方法を提供する。【解決手段】 微小光学レンズが半導体ウェファーの表面を選択的にエッチングすることによって半導体ウェファーから形成され、レンズアームが前記表面の反対側の表面上で半導体ウェファーの表面を選択的にエッチングすることによって半導体ウェファーから形成される。次いで、レンズとレンズアームは基板ウェファーから切り離され、そして微小光学デバイスに直接取り付けられる。微小光学デバイスに混成集積させる微小光学レンズをデバイスと同じIII-V族半導体材料から形成する結果、熱膨張安定性が増大し、また微小光学レンズと微小光学デバイスの間の光の効率的な移送が達成される。
請求項（抜粋）：
微小光学デバイスへの混成集積のためのIII-V族半導体微小光学レンズを製造するための方法であって、下記の工程:基板ウェファーの一側面の全表面の上にフォトレジスト材料の層をコーティングする工程:基板ウェファーをベーキングする工程:マスクのパターンが基板ウェファーの上に形成されるレンズの数と形状を決定するようにマスクを用意する工程:フォトレジスト材料の層でコーティングされた基板ウェファーの側面で基板ウェファーに対して前記マスクを選択的にそろえる工程:フォトレジストマスクを形成するために、フォトレジスト材料の層でコーティングされた基板ウェファーの前記側面を光源に露光する工程:フォトレジストマスクを有する基板ウェファーの前記側面を現像する工程:フォトレジスト材料の層でコーティングされた基板ウェファーの前記側面をフォトレジストマスクを囲む領域において選択的にエッチングする工程:フォトレジストマスクを除去してそして基板ウェファーの表面を清浄にする工程:基板ウェファーの前記側面の全表面を選択的にエッチングしてレンズを形成する工程:基板ウェファーの前記側面の全表面を非反射性コーティングでコーティングする工程:および、レンズが形成された基板ウェファーの前記側面の反対側の基板ウェファーの側面の表面からレンズアームを製作する工程:を含む方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, G02B 1/11
, G02B 3/00
H01L 33/00 M
, H01L 33/00 B
, G02B 3/00 Z
, G02B 3/00 A
, G02B 1/10 A
