低熱抵抗型半導体パッケージ、および低熱抵抗型半導体パッケージの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-275824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121654
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】半導体素子搭載部と放熱板の間に空隙を発生させない事により、パッケージの熱抵抗を下げ、リフロー時のパッケージクラックの発生を防止する。【解決手段】この半導体パッケージはプレーン7上にリードフレーム部27が積層された構造となっている。しかも、アイランド2が、プレーン7上に形成された突起18により支持され、アイランド2とプレーン7の間には隙間が形成され、その隙間に満たされた封止樹脂8によってアイランド2とプレーン7が接着されている。

請求項（抜粋）：

表面に半導体素子を搭載した半導体素子搭載部と、前記半導体素子の周囲に配置され、前記半導体素子の表面の電極と電気的に接続されたインナーリードと、前記半導体素子搭載部が積み重ねられた、パッケージの放熱を目的とする放熱板と、前記半導体素子搭載部、前記インナーリードおよび前記放熱板を封止し、前記放熱板の一部を表面に露出する封止樹脂と、前記インナーリードより前記封止樹脂の外部に延びているアウターリードとを含む低熱抵抗型半導体パッケージにおいて、少なくとも前記放熱板と前記半導体素子搭載部と重なる範囲において前記放熱板と前記半導体素子搭載部が接着されていることを特徴とする低熱抵抗型半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/29

FI (3件)：

H01L 23/28 B , H01L 21/56 T , H01L 23/36 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-163954
半導体装置用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-032755 出願人：三菱電機株式会社
集積回路パッケージ用汎用ヒートスプレッダ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153689 出願人：アナムインダストリアルカンパニーインコーポレーティド

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