半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398480
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197868
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる半導体装置を提供することを目的としている。【解決手段】半導体装置は、支持基板31上に埋め込み酸化物層32を介在して形成された第1の半導体層33と、この支持基板上に形成された第2の半導体層34とを備え、上記第1の半導体層中に第1の素子が形成され、上記第2の半導体層中に第2の素子が形成されている。そして、上記支持基板と第2の半導体層との界面JSは、埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴としている。上記第2の素子の活性領域を、上記支持基板と第2の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

支持基板の第1の領域上に埋め込み酸化物層を介在して形成された第1の半導体層と、前記支持基板の第2の領域上に形成された第2の半導体層とを具備し、前記支持基板と前記第2の半導体層との界面は、前記埋め込み酸化物層の下面と実質的に等しいか、あるいは前記埋め込み酸化物層より深い部分に位置することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 461 , H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088 , H01L 27/108

FI (7件)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/08 331 E , H01L 27/10 625 A , H01L 27/08 102 A , H01L 21/76 D , H01L 21/76 L , H01L 27/10 681 F

Fターム (39件)：

5F032AA06 , 5F032AA34 , 5F032CA01 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032CA23 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA30 , 5F032DA53 , 5F032DA71 , 5F048AA00 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA09 , 5F048BA12 , 5F048BA19 , 5F048BC06 , 5F048BG06 , 5F048BG14 , 5F083AD01 , 5F083AD17 , 5F083GA06 , 5F083GA30 , 5F083HA01 , 5F083HA02 , 5F083JA32 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR12 , 5F083PR25 , 5F083ZA03 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-211876
特開平3-211876
特開平3-034347

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