特許
J-GLOBAL ID：200903048933964262

多層配線基板及びその製造方法

発明者：
西本 昭彦

西本 昭彦 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080701
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277913
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】製造工程の簡略化を図ることのできるとともに、線幅の広い配線回路層や、グランド層などの広面積の金属箔からなる配線回路層を絶縁基板内部に配設した場合においても配線回路層と絶縁層間の密着不良のない多層配線基板とその製造方法を得る。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層の両面に金属箔からなる配線回路層2が埋設され、且つ両面に形成された配線回路層を電気的に接続するためにビアホール内に金属粉末を充填してなるビアホール導体3が形成された第1の配線層1A、1C,1Eと、少なくとも有機樹脂を含む絶縁層のビアホール内に金属粉末を充填してなるビアホール導体を形成してなる第2の配線層1B,1Dとを具備し、第1の配線層1A、1C,1Eと第2の配線層1B,1Dとを交互に積層してなり、第1の配線層における配線回路層の両面の表面粗さ(Ra)がいずれも0.2μm以上であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層の両面に金属箔からなる配線回路層が埋設され、且つ両面に形成された配線回路層を電気的に接続するためにビアホール内に金属粉末を充填してなるビアホール導体が形成された第1の配線層と、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁層のビアホール内に金属粉末を充填してなるビアホール導体が形成された第2の配線層とを交互に積層してなることを特徴とする多層配線基板。
FI (2件)：
H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 N
Fターム (28件)：
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA35 ,  5E346AA38 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB07 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346DD02 ,  5E346DD22 ,  5E346DD31 ,  5E346EE01 ,  5E346EE06 ,  5E346EE19 ,  5E346FF18 ,  5E346FF28 ,  5E346FF35 ,  5E346FF36 ,  5E346GG02 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG27 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH32 ,  5E346HH33
引用特許：
審査官引用 (5件)
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