特許

J-GLOBAL ID：200903049062429920

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 山崎 史郎 ,  永井 誠二 ,  小池 正好 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075327
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246670
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】3族窒化物半導体発光素子における電極の接触抵抗の低下。【解決手段】サファイア基板1上にバッファ層2、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成るn+ 層3、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープの(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N から成るn+ 層4、(Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N から成る活性層5、ホール濃度5 ×1017/cm3のMg添加の(Alx3Ga1-x3)y3In1-y3N から成るp層6、膜厚約0.2 μm, ホール濃度5 ×1017/cm3のマグネシウムドープのGaNから成るp層7が形成されている。さらにT字形状に形成されたホール濃度5 ×1017/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るp層(電流供給層)9と不純物無添加のGaN から成るn層(電流阻止層)8が窓部Aを除いて形成されている。そして、p層9に接合する金属電極10と高キャリア濃度n+ 層3に接続する金属電極11とが形成されている。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) からなるn型伝導性を示すn層と、p型伝導性を示すp層と、電流路を短冊状に狭窄させるための電流狭窄層とを有する発光素子において、前記電流狭窄層は、導電性の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成る下層半導体層に対して電流の流れる短冊状の窓部を除いてその下層半導体層に接合して形成され、該下層半導体層と異なる伝導型の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成る電流阻止層と、前記窓部及び前記電流阻止層上に形成され、前記窓部を介して前記下層半導体層と接合し、前記下層半導体層と同一伝導型の3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成る電流供給層とから成る発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038159   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041583   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176033   出願人：株式会社東芝