特許
J-GLOBAL ID:200903049108781062
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-307851
公開番号(公開出願番号):特開2005-077738
出願日: 2003年08月29日
公開日(公表日): 2005年03月24日
要約:
【課題】 微細なパターンを解像しようとするときのパターン倒れを抑制したポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、0.1〜10質量%の(C)ケトン基を有する脂環式炭化水素基が側鎖に置換した樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)酸の作用により、アルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、0.1〜10質量%の(C)ケトン基を有する脂環式炭化水素基が側鎖に置換した樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
FI (2件):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (14件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
引用特許: