半導体光素子、その製造方法及び、これを用いた光伝送方式

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-248528
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088401
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 1チャンネル当たり1本の光ファイバーで並列光伝送が可能、かつ受光及び発光が可能な半導体光素子、この光素子の製造方法及び、この光素子を用いる光伝送方式を提供する。【構成】半導体基板上に形成されたフォトダイオードと、基板に対して垂直方向に発光ダイオードを集積化した半導体光素子において、フォトダイオード2の面積Sfと、発光ダイオード1の面積SlはSf>Slとし、発光ダイオードをフォトダイオードの上部中央に配置し、かつフォトダイオードの受光部のエネルギーバンドギャップEgfと、発光ダイオードの発光部のエネルギーバンドギャップEglはEgf≦Eglとする。この光素子の製造においては、発光部をGaAs/AlGaAs系の材料を用いて作製し、エッチングストップ層にはInを含有する材料を用い、Cl系のガスを用いたドライエッチングによって発光部のエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたフォトダイオードと、前記基板に対して垂直方向に発光ダイオードを集積化した半導体光素子において、フォトダイオード部の面積Sfが、発光ダイオード部の面積Slより大きく、かつ発光ダイオードはフォトダイオードの上部、かつ中央に配置され、しかもフォトダイオードの受光部のエネルギーバンドギャップEgfは、発光ダイオードの発光部のエネルギーバンドギャップEglよりも大きくないことを特徴とする半導体光素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-199072
光半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-062850 出願人：松下電器産業株式会社
光カプラ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013297 出願人：日本板硝子株式会社

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