特許
J-GLOBAL ID：200903049148854755

CMOSアクティブピクセル

発明者：
ソー キュ,リー

ソー キュ,リー について

, 
デー ソン,ミン

デー ソン,ミン について


出願人/特許権者：
ピクセルプラス カンパニー リミテッド

ピクセルプラス カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 原 謙三 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174756
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094042
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 受光面積の減少を最小化しつつ、感度を向上させるCMOSアクティブピクセルを提供する。【解決手段】 浮遊拡散層43、フォトダイオード31、リセット部33及び出力部34を備える。浮遊拡散層43は第1不純物型でドーピングされ、信号電荷を受信する。フォトダイオード31は受光されるエネルギーによって生成された信号電荷を浮遊拡散層43に伝送する。フォトダイオード31は、第2不純物型の上部ダイオード不純物層51および第1不純物型の下部ダイオード不純物層41を含む。下部ダイオード不純物層41は、上部ダイオード不純物層51の下部に接して形成される。リセット部33は、所定の制御信号RESETに応答して、浮遊拡散層43の電圧レベルを所定のリセット電圧レベルに制御する。下部ダイオード不純物層41の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層43の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されるCMOSアクティブピクセルにおいて、所定の第1不純物型でドーピングされ、所定の信号電荷を受信する浮遊拡散層と、受光されるエネルギーによって前記信号電荷を生成し、前記生成された信号電荷を前記浮遊拡散層に伝送するフォトダイオードであって、前記第1不純物型でドーピングされる下部ダイオード不純物層と、前記第1不純物型に対称する極性を有する第2不純物型でドーピングされ、前記下部ダイオード不純物層の上部に形成される上部ダイオード不純物層とを含む前記フォトダイオードと、所定の制御信号に応答して、前記浮遊拡散層の電圧レベルを所定のリセット電圧レベルに制御するリセット部と、前記浮遊拡散層の電圧レベルに応答して、出力信号を生じる出力部とを備え、前記下部ダイオード不純物層の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、前記浮遊拡散層の電子ポテンシャルエネルギーよりも高いことを特徴とするCMOSアクティブピクセル。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 G
Fターム (20件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA23 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049UA12 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14 ,  5F049UA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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