特許
J-GLOBAL ID：200903050853329803

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
栗山 俊寛

栗山 俊寛 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255582
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091550
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオードの電荷蓄積容量を低減することにより高感度化させた固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型の半導体基板11内に形成された第2導電型の受光部12と、前記受光部12と電気的に接続したアンプ回路とを含む画素が複数配置されており、前記受光部12底面の少なくとも一部に接する前記半導体基板11内の領域に、前記半導体基板11よりも不純物濃度の低い第1導電型の拡散領域13が形成されていることを特徴とした。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板内に形成された第2導電型の受光部と、前記受光部と電気的に接続したアンプ回路とを含む画素が複数配置された固体撮像装置であって、前記受光部と前記半導体基板との接合部に形成される空乏層の幅が、前記半導体基板表面に接する領域よりも、前記受光部底面の少なくとも一部を含む前記半導体基板内の領域で大きいことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U
Fターム (21件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA15 ,  4M118GB11 ,  5C024AA00 ,  5C024CA10 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA31
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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