特許
J-GLOBAL ID：200903049216777926

プログラマブルゲートを備える常時オフIII族窒化物半導体デバイス

発明者：
マイケル エー ブリエール

マイケル エー ブリエール について


出願人/特許権者：
インターナショナル レクティファイアー コーポレイション

インターナショナル レクティファイアー コーポレイション について


代理人 (3件)： 竹沢 荘一 ,  中馬 典嗣 ,  森 浩之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-524252
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503874
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
帯電ゲート絶縁体部を含むIII族窒化物半導体デバイス。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
あるバンドギャップを有する第1III族窒化物半導体部と、 2次元電子ガスを形成するために、前記第1III族窒化物半導体部の上にある、別のバンドギャップを有する第2III族窒化物半導体部と、 前記第2III族窒化物半導体部と結合される第1電源電極と、 前記第2III族窒化物半導体部と結合される第2電源電極と、 前記第2III族窒化物半導体部の上にある、捕獲電荷を有するゲート絶縁体部と、 前記ゲート絶縁体部の上に配置されるゲート電極、 とを備える半導体デバイス。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 H
Fターム (14件)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102HC10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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