特許
J-GLOBAL ID:200903049230015095

化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 梶 良之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-224413
公開番号(公開出願番号):特開平10-053464
出願日: 1996年08月06日
公開日(公表日): 1998年02月24日
要約:
【要約】【課題】 反りのないCVD-SiC材を非常に高い歩留りで得ることを可能とし、この結果、従来、反りを矯正するために必要とされていた余分な作業工程を全く不要とし、生産性を著しく向上させてより安価なCVD-SiC材を製造する方法を提供する。【解決手段】 基材の表面に化学気相蒸着により炭化珪素の被覆層を形成した後、中央を水平方向にスライスして得られた半割り品のうち基材部分を除去して炭化珪素被覆層だけを残すようにした化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法であって、前記基材として、黒鉛部材を予め化学気相反応により炭化珪素化したものを使用するようにした。
請求項(抜粋):
基材の表面に化学気相蒸着により炭化珪素の被覆層を形成した後、中央を水平方向にスライスして得られた半割り品のうち基材部分を除去して炭化珪素被覆層だけを残すようにした化学気相蒸着炭化珪素材の製造方法であって、前記基材が、黒鉛部材を化学気相反応により炭化珪素化したものであることを特徴とするCVD炭化珪素材の製造方法。
IPC (5件):
C04B 35/565 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/36
FI (5件):
C04B 35/56 101 N ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/44 A ,  C30B 29/36 A
引用特許:
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る