特許

J-GLOBAL ID：200903049979728837

カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長

発明者： リー イダ ,  リー ジェームス ウェイフ ,  ラウンズ ダグラス エイチ. ,  メルクローフ ヴラディーミル アイ. ,  エレス ジェラ ,  ウェイ ヤイ ,  グリーンボーム エリアス
出願人/特許権者： ユーティーバッテル エルエルシー ,  ユニバーシティー オブ テネシー リサーチ ファンデイション
代理人 (5件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-530605
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503273
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

ナノワイヤ、カンチレバー、導電性のマイクロ/ナノメートルの構造体、ウェハなどのチップの上に、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ、ナノファイバ、および他のナノ構造体を成長させる方法について記述する。この方法は、走査型プローブ顕微鏡(AFM、EFMなど)の性能を大幅に向上させることができる、カーボンナノチューブを固定したカンチレバーの製造に用いることができる。本発明は、カーボンナノチューブ/ファイバを用いたマイクロおよび/またはナノ製造の他の多くの工程にも用いることができる。本発明の重要な構成要素には、(1)金属触媒の適切な選択、ならびに正確に基板のチップの位置での望ましい特定の触媒のプログラマブルなパルス式電解析出、(2)触媒を堆積させたチップでの触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ/ファイバの成長、(3)チップの形および成長条件の操作によるカーボンナノチューブ/ファイバの成長パターンの制御、(4)大量生産のための自動化が含まれる。

請求項（抜粋）：

a.基板を提供するステップと、 b.前記基板上に触媒ドットを堆積させるステップと、 c.前記触媒ドット上にカーボンナノ構造体を成長させるステップとを含むカーボンナノ構造体を成長させる方法。

IPC (3件)：

B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01B31/02

FI (3件)：

B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01B31/02 101F

Fターム (3件)：

4G146AA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 超伝導放射線検出器とその製造方法とそれを用いた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-093586   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
• カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-075981   出願人：株式会社ケイアンドティ
• カーボン・ナノチューブ作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-379334   出願人：株式会社東北テクノアーチ
• 走査型プローブ顕微鏡用のプローブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093515   出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社

引用文献：

審査官引用 (6件)

• "単層カーボンナノチューブのナノエレクトロニクス素子への応用"
• "Direct Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Scanning Probe Microscopy Tips"
• "Patterned growth of individual and multiple vertically aligned carbon nanofibers"
• "ALIGNED CARBON NANOTUBES VIA MICROWAVE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION"
• "Large Arrays of Well-Aligned Carbon Nanotubes"
• "ALIGNED CARBON NANOTUBES VIA MICROWAVE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION"