特許
J-GLOBAL ID：200903049300411570
スピンバルブ・センサにおいてキャップ層及びギャップ層として使用するためのインサイチュ酸化膜及びそれの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198104
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158313
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】GMR係数の増加及び温度安定度の改良を得るために1つ又は複数のインサイチュ酸化膜をキャップ層又はギャップ層として使用するスピンバルブ・センサを提供する。【解決手段】ウェハー上に多層金属膜を積層し、しかる後、インサイチュ酸化が行われる酸化モジュールに真空においてウェハーを移すステップを含む。キャップ層を形成するためにその方法が使用される時、キャップ層は部分的にしか酸化されなくてもよい。その後、磁界アニーリングが、界面混合及び酸素拡散の実質的な発生なしに行われ得る。その結果生じたスピンバルブ・センサは、導通電子の誘起された鏡面散乱によると思われるGMR係数の増加、及びアニーリング・プロセス時の界面混合及び酸素拡散からの基礎的な検出層の保護によることを主にして得られる温度安定度の改良を示す。ギャップ層も、金属膜の多層インサイチュ積層及び酸化から形成され得る。
請求項（抜粋）：
反強磁性ピニング層と、前記反強磁性ピニング層の一方の側に配置されたピンド層と、検出層と、前記ピンド層及び前記検出層の間に配置されたスペーサ層と、前記検出層の一方の側に配置され、部分的に酸化された金属膜を含むキャップ層とを含むスピンバルブ・センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 H
, G11B 5/39
, H01L 43/12
5D034BA02
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034CA08
, 5D034DA07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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