特許
J-GLOBAL ID：200903049341081127
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
,
,
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-122691
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012180
出願日： 2004年04月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
【課題】実装サイズのさらなる小型化を達成することができ、半導体デバイスからの放熱性が良好な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 素子が形成された基板の裏面の略全面に絶縁膜として機能する接着剤層を介して電極を有する他の配線構造体を接着または接合する工程(工程5)と、その後、基板に形成された素子から他の配線構造体に形成された電極に達する孔を形成する工程(工程8)と、孔内に金属を埋め込んで、素子の電極と配線構造体の電極とを接続する接続電極26を形成する工程(工程14)とを具備する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板に形成された素子から基板を貫通する電極を介して他の配線構造体の電極に接続する構造を有する半導体装置であって、
前記基板の裏面の略全面が前記他の配線構造体の主面に接着または接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/3205
, H01L23/12
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
H01L21/88 J
, H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
, H01L25/08 Z
5F033HH08
, 5F033JJ11
, 5F033MM30
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ07
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ28
, 5F033RR04
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS11
, 5F033TT07
, 5F033VV07
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
