特許

J-GLOBAL ID：200903049402986284

パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料

発明者： 畠山 潤 ,  吉原 隆夫 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  河合 義夫 ,  竹村 勝也
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031272
公開番号（公開出願番号）：特開2009-063989
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【解決手段】7-オキサノルボルナン環を有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物、及び酸発生剤を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に酸及び/又は熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。【効果】本発明によれば、上記方法でレジスト材料を用いてパターン形成することにより、第1のパターンのスペース部分に第2のパターンを形成することによってパターンとパターンのピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングによって基板を加工することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

7-オキサノルボルナン環を有する繰り返し単位と、酸によってアルカリ現像液に可溶になる繰り返し単位とを有する高分子化合物、及び酸発生剤を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光する工程と、加熱処理後に現像液を用いて上記レジスト膜を現像する工程と、その後に酸及び/又は熱によってレジスト膜を架橋硬化させる工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/40 501 ,  G03F7/40 521 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 514A

Fターム (33件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA23 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  5F046AA11 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-136905   出願人：シャープ株式会社
• ポジ型感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-024778   出願人：JSR株式会社
• ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-107100   出願人：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-174894   出願人：信越化学工業株式会社
• フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-384658   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター