特許
J-GLOBAL ID:200903029367642665

ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-107100
公開番号(公開出願番号):特開2005-321765
出願日: 2005年04月04日
公開日(公表日): 2005年11月17日
要約:
【課題】高エネルギー線での露光において高感度で高解像性を有し、ラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】式(1a)、(2a)及び(1b)の繰り返し単位を有する高分子化合物を含有するレジスト材料。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1a)、(2a)及び(1b)で示される繰り返し単位をそれぞれ有する高分子化合物を含有するレジスト材料。
IPC (3件):
G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (12件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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