特許

J-GLOBAL ID：200903049558026116

化合物半導体単結晶の製造方法およびその利用

発明者： 澤木 宣彦 ,  山口 雅史 ,  本田 善央
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-046837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-249400
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 転位密度が小さい窒化物半導体単結晶を簡便な方法で製造する方法を提供すること。【解決手段】 円換算直径が1μm以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

円換算直径が1μm以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1,0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (38件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AB18 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F073AA75 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311518   出願人：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-108497   出願人：松下電子工業株式会社
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-183446   出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Self-assembling GaN quantum dots on AlxGa1-xN surfaces using a surfactant