特許
J-GLOBAL ID:200903049563013480

半導体基板、半導体装置およびこれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-222053
公開番号(公開出願番号):特開2008-047710
出願日: 2006年08月16日
公開日(公表日): 2008年02月28日
要約:
【課題】信頼性を損なうことなく、より簡便にコアレスな半導体基板を得る。【解決手段】ベースとなる金属基板100の上に半導体チップを搭載可能な多層配線を複数領域に構築した後、金属基板100の一部をレジストを用いて選択的にエッチングし、各半導体チップ搭載領域において電極パッド25を取り囲むようにスティフナー160を形成する。各領域をダイシング加工などにより切断し、スティフナー160を有する半導体基板11を個片化する。【選択図】図6
請求項(抜粋):
複数の層間絶縁膜および配線層からなる多層配線層と、 前記多層配線層の周辺部分に設けられたスティフナーと、 を備え、 前記スティフナーが前記多層配線層を構築する際の土台として使用される金属基板を選択的に除去することによって形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/12 N ,  H01L23/12 501B
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 回路基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-162913   出願人:新光電気工業株式会社
審査官引用 (3件)

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