特許
J-GLOBAL ID：200903049366447142

半導体パッケージ基板の製造方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
菊池 克

菊池 克 について

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下戸 直典

下戸 直典 について

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馬場 和宏

馬場 和宏 について

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松井 孝二

松井 孝二 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-299304
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006989
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】 従来の半導体パッケージ基板を改良し、多層配線構造膜の平坦性を向上させることにより、多ピン化、高密度化及び微細化が容易で信頼性が高くスティフナを装着する必要がない新規な半導体パッケージ基板の製造方法及びそれを使用する半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 金属板からなり半導体素子16を嵌入するための開口部を有するメタルベース11上に多層配線構造膜15を積層し、半導体素子16をメタルベース11の開口部に嵌入し、金属パッド12にフリップチップ接続する。更に、金属パッド29にBGA用半田ボール19を装着する。このとき、半導体素子16の表面は、メタルベース11の表面と同一面上に配置する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属板からなるメタルベースの第1の面に複数個の第1の金属パッドを形成する工程と、前記メタルベースにおける前記第1の面上に、絶縁層と配線層からなり表面に複数個の第2の金属パッドを有し前記第2の金属パッドは夫々前記配線層を介して前記第1の金属パットに接続されるように多層配線構造膜を形成する工程と、前記メタルベースにおいて前記第1の金属パットが形成されている領域を含むように開口部を形成し前記第1の金属パッドを露出させる工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージ基板の製造方法。
IPC (1件)：
H01L23/12
FI (2件)：
H01L23/12 N ,  H01L23/12 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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