半導体装置の検査装置及びそれを用いた半導体の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285817
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090390
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】梁に必要な強度を保持した状態で小型化ができ、多数のプローブを形成可能な半導体検査装置を実現する。【解決手段】配線5bは、梁11上の一方の面に所定の幅で、梁11の全長に亘り形成されているため、梁11は任意の幅方向断面において常に一定の形状となっている。その結果、梁11と配線5bの形状から定まる断面二次モーメントが一定となるため、プローブ5aが被検体のパッドに接触して梁11が所定量だけ撓んでも梁11の曲率が局所的に変化するといった不都合が回避される。その結果、梁11の局所的な応力集中が防止され、梁11の破損などといった、不都合を回避することができる。したがって、梁に必要な強度を保持した状態で小型化ができ、多数のプローブを形成可能な半導体検査装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の支持部に支持された複数の両持ち梁と、この梁に形成され、検査対象である半導体装置の電極部に接触される突起であるプローブと、このプローブと上記シリコン基板に形成された二次電極とを接続する配線とを有し、半導体装置を検査する検査装置において、上記配線は、上記両持ち梁のプローブが形成される面に、この梁の両端の2つの支持部にまで延長して配置されていることを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (3件)：

G01R 1/073 , G01R 31/28 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01R 1/073 F , H01L 21/66 B , G01R 31/28 K

Fターム (22件)：

2G011AA09 , 2G011AB06 , 2G011AC21 , 2G011AE03 , 2G011AF07 , 2G032AA00 , 2G032AF01 , 2G032AL00 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106AA08 , 4M106AC07 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106CA01 , 4M106CA27 , 4M106CA56 , 4M106DD04 , 4M106DD06 , 4M106DD10 , 4M106DD23 , 4M106DJ33

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-245669
半導体検査装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-346444 出願人：株式会社日立製作所
素子検査用プローブとその製造方法およびそれを用いた半導体素子検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-028831 出願人：株式会社日立製作所

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