特許

J-GLOBAL ID：200903049672545581

Cu-CVDプロセス用原料とCu-CVD装置

発明者： 小林 明子 ,  小出 知昭 ,  張 敏娟 ,  関口 敦 ,  岡田 修
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013095
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219968
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
要約：

【要約】【課題】Cu(hfac)(tmvs)カクテルを原料としてCVD法でCu膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。【解決手段】Cu-CVDプロセス用原料はCu(hfac)(tmvs)に対してtmvsとHhfac・2H2 Oを添加して作られる液体原料であり、Cu(hfac)(tmvs)に対するtmvsの添加割合が1〜10wt%の範囲に含まれ、触媒であるHhfac・2H2 Oの添加割合が0.1〜0.01wt%の範囲に含まれる。好ましくはtmvsの添加割合が5wt%であり、Hhfac・2H2 Oの添加割合が0.04wt%である。

請求項（抜粋）：

Cu(hfac)(tmvs)に対してtmvsとHhfac・2H2 Oを添加して作られる液体原料であって、気化されて反応室内に導入され、この反応室内で加熱状態で配置された基板の表面にCVD法によりCu膜を形成するのに使用されるCu-CVDプロセス用原料であり、前記tmvsの添加割合が1〜10wt%の範囲に含まれ、前記Hhfac・2H2 Oの添加割合が0.1〜0.01wt%の範囲に含まれることを特徴とするCu-CVDプロセス用原料。

IPC (2件)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/285 C

Fターム (11件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅前駆体混合物、およびそれを用いるCVD銅の形成方法、並びに被着性銅導体インターフェース
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206237   出願人：シャープ株式会社, シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 銅フィルムの化学蒸着法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-121810   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 化学気相成長方法及びこれに用いられる溶媒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108518   出願人：株式会社トリケミカル研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The effect of adding hexafluoroacetylacetone on chemical vapor deposition of copper using Cu(I) and