特許

J-GLOBAL ID：200903049686332602

半導体装置モデルとその作成方法及び装置

発明者： 佐藤 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-145899
公開番号（公開出願番号）：特開2004-234618
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】半導体装置の電源ノイズの振る舞いを解析する場合に用いる半導体装置モデルの作成方法に関し、電源ノイズの解析を高精度に行うことができるようにする。【解決手段】電源ノイズ解析対象の半導体装置を電源配線、内部容量、内部消費電流及び入出力セルに分け、これら電源配線、内部容量、内部消費電流及び入出力セルのモデル(サブモデル)を作成し、これら電源配線、内部容量、内部消費電流及び入出力セルのモデル(サブモデル)を結合することにより、電源ノイズ解析対象の半導体装置について、電源ノイズ解析用の半導体装置モデルを作成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電源ノイズ解析対象の半導体装置の電源配線、内部容量、内部消費電流及び入出力セルのモデルを作成する工程と、 前記電源配線、前記内部容量、前記内部消費電流及び前記入出力セルのモデルを結合し、前記電源ノイズ解析対象の半導体装置について、電源ノイズ解析用の半導体装置モデルを作成する工程を有することを特徴とする半導体装置モデル作成方法。

IPC (2件)：

G06F17/50 ,  H01L21/82

FI (3件)：

G06F17/50 666V ,  H01L21/82 T ,  H01L21/82 C

Fターム (18件)：

5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5B046JA01 ,  5F064BB02 ,  5F064BB13 ,  5F064BB26 ,  5F064BB35 ,  5F064BB37 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064DD34 ,  5F064EE12 ,  5F064EE17 ,  5F064EE22 ,  5F064EE43 ,  5F064EE45 ,  5F064HH06 ,  5F064HH09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電磁界強度算出装置及び方法並びにプログラム記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-112632   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置のノイズ解析装置及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-345926   出願人：株式会社東芝
• EMIシミュレーション用LSI電源系モデル及びEMIシミュレータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-310049   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の同時スイッチングノイズ評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-210175   出願人：富士通株式会社