特許

J-GLOBAL ID：200903049752871226

半導体積層構造及びIII族窒化物層群の転位低減方法

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  角谷 茂明
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008280
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235170
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。【解決手段】所定の基材1上においてIII族窒化物層群15を形成し、このIII族窒化物層群中に、少なくともBを含むIII族窒化物から構成される島状又は網目状の介在層9を形成して、半導体積層構造10を作製する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の基材と、 前記基材上に形成されたIII族窒化物層群と、 前記III族窒化物層群中に形成された、島状又は網目状の介在層と、 を具えることを特徴とする、半導体積層構造。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052573   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266928   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256088   出願人：株式会社東芝