多重ドメインを持つ高開口率及び高透過率液晶表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永田良昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147636
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131717
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】画質特性を改善して、開口率及び透過率の改善された液晶表示装置を提供する。【解決手段】所定距離をおいて対向する上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を含む液晶層と、ゲートバスライン21とデータバスライン22と、カウンタ電極24と、画素電極26と、薄膜トランジスタ28及び、上部及び下部基板の内側面にそれぞれ配置され、ラビング軸をそれぞれ持つ水平配向膜とを備え、画素電極に電圧の印加時、単位画素空間には、ゲートバスラインと平行な電界とデータバスラインと平行な電界が同時に形成され、カウンタ電極と画素電極は透明な導電物質で形成され、カウンタ電極及び画素電極間の間隔は、上部及び下部基板間の距離よりも狭く、カウント電極及び画素電極の幅、両電極間に発生される電界によって、両電極のそれぞれの上部に存在する液晶分子がともに実質的に動作できるように設定した。

請求項（抜粋）：

所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を含む液晶層と、前記下部基板の内側面にマトリクス状に配列され、単位画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、前記下部基板の内側面の単位画素内に配置されるカウンタ電極と、前記カウンタ電極上にオーバーラップする画素電極と、前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に配置される薄膜トランジスタと、及び前記上部及び下部基板の内側面にそれぞれ配置され、ラビング軸をそれぞれ持つ水平配向膜とを備え、前記画素電極に電圧の印加時、単位画素空間には、ゲートバスラインと平行な電界とデータバスラインと平行な電界が同時に形成され、前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電物質で形成され、前記カウンタ電極及び画素電極間の間隔は、前記上部及び下部基板間の距離よりも狭く、前記カウント電極及び画素電極の幅は、両電極間に発生される電界によって、前記両電極のそれぞれの上部に存在する液晶分子がともに実質的に動作できるごとく設定した液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/1365 , G02F 1/1337 505 , G02F 1/1343

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1337 505 , G02F 1/1343

引用特許：

審査官引用 (8件)

表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317140 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-001579 出願人：アルプス電気株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-233926 出願人：株式会社東芝

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