特許
J-GLOBAL ID:200903049906041841
半導体素子の実装方法とその実装体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-380512
公開番号(公開出願番号):特開2003-179098
出願日: 2001年12月13日
公開日(公表日): 2003年06月27日
要約:
【要約】【課題】樹脂フィルムに形成された貫通孔に微細な金属粉を充填し、低荷重での実装を可能とし、吸湿及び温度サイクルによるフィルム樹脂の膨潤が起こっても、電気的パスが確保される半導体素子の実装方法とその実装体を提供する。【解決手段】樹脂フィルム31の所定の位置に貫通孔32を形成し、貫通孔32が回路基板21の接続電極22と一致するように位置合わせを行った後、樹脂フィルム31を回路基板21に貼り付けるか、または回路基板21に樹脂フィルム31を貼り付けた後、樹脂フィルム31の所定の位置に貫通孔32を形成し、貫通孔32に導電性粒子41を埋め込み、半導体素子11を、加熱・加圧しながら回路基板32の所定の位置に搭載する際に、樹脂フィルム31を溶融させ、導電性粒子41の隙間を充填させ、かつ硬化させる。
請求項(抜粋):
回路基板に半導体素子をフリップチップ実装する方法において、樹脂フィルムの所定の位置に貫通孔を形成し、前記貫通孔が前記回路基板の接続電極と一致するように位置合わせを行った後、前記樹脂フィルムを回路基板に貼り付けるか、または前記回路基板に樹脂フィルムを貼り付けた後、前記樹脂フィルムの所定の位置に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性粒子を埋め込み、前記半導体素子を、加熱・加圧しながら回路基板の所定の位置に搭載する際に、前記樹脂フィルムを溶融させ、前記導電性粒子の隙間を充填させ、かつ硬化させることを特徴とする半導体素子の実装方法。
Fターム (2件):
引用特許: