特許

J-GLOBAL ID：200903049937930512

半導体基板又は素子の洗浄方法

発明者： 竹村 誠 ,  福田 泰夫 ,  早田 和昭 ,  加藤 昌明 ,  栖原 英治
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社 ,  株式会社 ピュアトロン ,  エコー技研株式会社
代理人 (1件)： 池条 重信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235425
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079649
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】オゾン水を用いた半導体基板又は素子の洗浄方法において、総有機炭素量を低減させた超純水を原料や溶媒として製造した超純度オゾン水のオゾン半減期を延長して、洗浄能力と洗浄効率の向上を図った洗浄方法の提供。【解決手段】無声放電法又は水の電気分解法で得られたオゾンを、総有機炭素量を低減させた超純水を溶媒として溶解含有させたオゾン含有の洗浄水を用いて洗浄するに際し、多孔質高分子膜を使用して有機溶剤を添加した超純水溶媒に前記オゾンを含有させることで、オゾン半減期減衰を著しく抑制でき、洗浄時の溶存オゾン濃度を高濃度に保持でき、洗浄能力と洗浄効率を向上できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板又は素子をオゾン含有の洗浄水を用いて洗浄する方法であり、オゾンを含有させる洗浄用原料水に有機溶剤を添加する工程を有する半導体基板又は素子の洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D17/08 ,  H01L21/308

FI (6件)：

H01L21/304 647A ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60 ,  C11D17/08 ,  H01L21/308 G

Fターム (12件)：

4H003DA15 ,  4H003EA20 ,  4H003EA31 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  5F043AA01 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043EE01 ,  5F043EE07 ,  5F043EE30 ,  5F043EE31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトレジスト膜除去方法およびそのための装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-321876   出願人：三菱電機株式会社, 島田理化工業株式会社
• 電子材料用洗浄水、その製造方法及び電子材料の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-197781   出願人：栗田工業株式会社
• オゾン含有浄化液、その製造方法及び浄化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-168269   出願人：ペルメレック電極株式会社
• 電子材料の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-139536   出願人：栗田工業株式会社