特許
J-GLOBAL ID:200903049940243364

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲垣 清
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-343510
公開番号(公開出願番号):特開2001-160558
出願日: 1999年12月02日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の製造において、Cu配線上に密着性が良好で、Cuの凝集等が起こらない層間絶縁膜を形成するための成膜方法を提供する。【解決手段】 Cu上にCVD法により絶縁膜を成膜する際、Cuと絶縁膜との密着性を向上させるためのシリコン基板5の前処理を、絶縁膜成膜と同一成膜室1で、かつ、成膜温度よりも低い温度で行なう工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項(抜粋):
Cu上にCVD法により絶縁膜を成膜する際、Cuと絶縁膜との密着性を向上させるための前処理を、300°C以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (5件):
H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K
Fターム (41件):
5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX14 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB17 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03
引用特許:
審査官引用 (6件)
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