特許
J-GLOBAL ID:200903049983255757
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-059540
公開番号(公開出願番号):特開2003-257644
出願日: 2002年03月05日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 有機EL素子を形成する際に、ホール輸送層と発光層の間、および発光層と電子輸送層との間に生じた界面が有機EL素子の劣化を促す。【解決手段】 発光層の材料が第一蒸着源62において蒸発される。その際、第一蒸着源62はガラス基板10の一端から他方の一端まで移動する。これにより、ガラス基板10上に発光層が均等に形成される。発光層の形成が終了すると、つづいて電子輸送層の材料が第二蒸着源64において蒸発される。第二蒸着源64も第一蒸着源62と同様に移動することで電子輸送層を均等に形成する。
請求項(抜粋):
有機エレクトロルミネッセンス素子が形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、発光層と当該発光層上に設けられる電子輸送層とを連続形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
IPC (3件):
H05B 33/10
, C23C 14/24
, H05B 33/14
FI (3件):
H05B 33/10
, C23C 14/24 C
, H05B 33/14 A
Fターム (12件):
3K007AB12
, 3K007AB13
, 3K007AB15
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029AA09
, 4K029BA62
, 4K029BC07
, 4K029CA01
, 4K029DB06
, 4K029DB14
引用特許:
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