特許

J-GLOBAL ID：200903049996058543

GaN系発光ダイオードおよび発光装置

発明者： 平岡 晋 ,  岡川 広明 ,  城市 隆秀
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054870
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245058
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】フリップチップ実装時の光取り出し効率が改善されるとともに、別工程で形成される電極と反射層との間での材料の拡散や合金化反応によって、コンタクト層と電極との接触抵抗が不安定化する問題のない、GaN系LEDを提供する。 【解決手段】GaN系発光ダイオードは、コンタクト層の表面に形成された電極および透明絶縁体と、前記透明絶縁体の表面に形成された反射層とを有し、前記透明絶縁体は、前記コンタクト層の材料の屈折率よりも小さい屈折率を有し、前記反射層が前記電極が前記透明絶縁体の表面まで延長して形成されたものであるか、または、前記電極と前記反射層とが分離して形成されている。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層と、発光層で発生する光を透過する半導体からなるコンタクト層とを、この順に含む半導体積層体と、前記コンタクト層の表面に形成された電極および透明絶縁体と、前記透明絶縁体の表面に形成された反射層とを有し、 前記透明絶縁体は、前記コンタクト層の材料の屈折率よりも小さい屈折率を有し、 (A)前記反射層が、前記電極が前記透明絶縁体の表面まで延長して形成されたものであるか、または、 (B)前記電極と前記反射層とが分離して形成されている、 GaN系発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA02 ,  5F041DA09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-055662   出願人：ローム株式会社
• ビーム放射型半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-336367   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (3件)

• LEDチップ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-154335   出願人：松下電工株式会社
• フリップチップボンディング用窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-376747   出願人：三星電機株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202749   出願人：日本ビクター株式会社