特許
J-GLOBAL ID：200903050095403932
磁気ヘッド、それを用いた磁気記録再生装置及び磁性メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362533
公開番号（公開出願番号）：特開2000-187816
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】再生波形の対称性に優れた磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】磁性層13、絶縁層14、磁性層15を積層し、2つの磁性層の間に電圧を印加する電源18を設け、磁性層15に反強磁性層16を積層してその磁化の向きを外部磁界の検出方向と実質的に平行又は反平行とし、この外部磁界のないときに、磁性層13の磁化の向きを外部磁界の検出方向と実質的に直角にするように、非磁性金属層12とその膜面内方向に電流を流す電源17を設け、この外部磁界により磁性層13の磁化の向きが変化したときに絶縁層をトンネルする電流の変化を検出する信号検出部19を設けた磁気抵抗効果素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、第1の磁性層、絶縁層、第2の磁性層の順に積層された多層膜を有する磁気抵抗効果素子であって、上記第1の磁性層と上記第2の磁性層との間に電圧を印加する手段を有し、上記第1の磁性層と上記第2の磁性層の内の一方の磁性層の磁化の向きは、外部磁界の検出方向と実質的に平行又は反平行であり、上記外部磁界のないときに、上記第1の磁性層と上記第2の磁性層の内の他方の磁性層の磁化の向きを、上記外部磁界の検出方向と実質的に直角にする制御手段を有し、上記外部磁界により上記他方の磁性層の磁化の向きが変化したときに、それによる上記絶縁層をトンネルする電流の変化を検出する手段を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (4件)：
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA06
, 5D034BA15
