特許
J-GLOBAL ID:200903050111965369
ネガ型レジスト組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 栗宇 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-256673
公開番号(公開出願番号):特開2004-094025
出願日: 2002年09月02日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【課題】半導体素子の微細加工における性能向上技術における課題を解決することであり、特にKrFエキシマレーザー、X線、電子線又はイオンビームの使用に対して高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好な露光量マージンの特性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】アルカリ可溶性樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、特定構造の多官能フェノール性架橋剤を含有するネガ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)アルカリ可溶性樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
(C)下記一般式(1)で表される、酸の作用によりアルカリ可溶性樹脂(A)と架橋する架橋剤、
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
IPC (9件):
G03F7/038
, B82B1/00
, C08F12/04
, C08F12/14
, C08F16/14
, C08F20/10
, C08F20/54
, G03F7/004
, H01L21/027
FI (9件):
G03F7/038 601
, B82B1/00
, C08F12/04
, C08F12/14
, C08F16/14
, C08F20/10
, C08F20/54
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
Fターム (42件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025BE00
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CC17
, 4J100AB00Q
, 4J100AB02Q
, 4J100AB02R
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AB07R
, 4J100AL03R
, 4J100AL08P
, 4J100AL08R
, 4J100AM02R
, 4J100AM21P
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA03R
, 4J100BA05P
, 4J100BA05Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA37P
, 4J100BA40Q
, 4J100BA41Q
, 4J100BB01P
, 4J100BB01Q
, 4J100BB01R
, 4J100BB03Q
, 4J100BB03R
, 4J100BC43P
, 4J100BC59Q
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
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